12月3日，在2019中国数据与存储峰会上,浪潮与英特尔宣布，双方联合开发中国首款采用傲腾双端口SSD的中端全闪存储AS5000G5-F系列正式推出。AS5000G5-F 系列实现了高达800万IOPS、0.1ms延时，是当前业界最高性能的中端存储。

随着数据存储需求的不断增长，存储供应商尝试使NAND闪存驱动器中能够存入更多的数据——通常是通过增加每个单元（cell）中的bit数来实现的。NAND从每个单元1个bit开始（SLC），到2 bit（MLC），很快就达到了3 bit（TLC）。现在我们有了QLC驱动器，每个单元可以存储4 bit。

​1月30日三星电子宣布开始批量生产1TB容量的通用闪存（UFS）2.1，这项技术将用于下一代移动设备中。三星在四年前推出了第一款UFS解决方案，当时的容量还只有128GB，对于当时的手机来说

HPE Nimble存储可以轻松应对核心数据库业务、服务器和桌面虚拟化架构、消息协同等环境，为企业提供高性能、成熟可靠的IT基础架构。那么它的实际性能、可靠性、可用性及功能表现如何呢?下面，我们就为大家详细展示Nimble全闪存产品的实地评测结果，揭开「庐山真面目」。

随着全闪存的普及，存储性能的宣传战争变得越来越激进，在2008年，10万IOPS已经是非常高的性能，而十年后的今天，1000万IOPS已经成为多家厂商宣传的主题。而存储响应速度的另一个指标时延已经从毫秒演进到了微秒时代。

Intel在官网宣布，和美光的闪存合作即将发生关键性变化。具体来说，双方会在2018年继续第三代3D NAND（预计是96层）的研发、生产合作，一直持续到2019年初。在此之后，则分道扬镳。