华硕F8H81Sg-SL采用了全新的45纳米处理器，搭载全球领先的新一代nVidia Geforce 9300M G独立显卡，能够为玩家带来全新的3D效能体验，整体表现非常出色，值得推荐。

45纳米的Penryn处理器正是时下市场关注的焦点。前段时间高调上市的T8100双核依旧风头不减，采用这款处理器的本本产品也是颇受追捧。不过，T8100毕竟是Penryn家族的低端型号，正如当年Merom核心的T7100一样，属于一款投石问路，开拓市场的产品，真正的好戏还在后头。

近来，关于SONY笔记本Penryn新机的消息不断。下周一在拉斯维加斯举行的CES2008上，SONY笔记本新品将和Intel最新的45纳米Penryn处理器同期发布，目前国外已经流传出了一些新机的消息，笔者进行了整理和归纳，供大家先睹为快。

HD1080采用美国原装进口纳米高清幕料，特殊背面涂层，除增加对比度外，也令影像更富层次感。力求完美的自然映像，色彩的还原及对比度逼真，实现真实影像高清银幕

台积电副总裁F.T. Tseng称，日前获得内地领头的设计机构的订单，以90纳米制程生产芯片。Tseng称，向TDSCDMA的3G手机提供芯片的内地设计机构包括大唐电信科技股份有限公司和展讯通信公司，他们已经委以订单给台积电。

ATI的新品由于80纳米制造工艺良品率不理想，而迟迟不能上市，在nVidia强大的压力下ATI显得异常被动。为缓解不利局面，ATI在合并案后终于推出了搭载全新GDDR4显存的X1900XTX...

R580+将是现有的R580的80纳米制程版，使用更先进的制程后，核心频率的提高不仅是可能，而且也是ATI肯定会做的。据透露，ATI计划将R580+的核心频率锁定在750MHz，这将比现有的R580高出100MHz

三星电子宣布向英伟达、AMD等客户交付首批HBM4E高带宽内存样品。该产品单堆叠容量16GB，带宽超1.5TB/s，较上代HBM3E提升约50%，采用1a纳米工艺和改良TSV技术。关键指标包括

福州大学科研团队受“月饼模压”工艺启发，在QLED量子点显示技术领域取得重大突破，实现了25400 PPI的超高像素密度。团队采用创新的纳米压印转移技术，将量子点材料精确转移到基板上，实现亚微米级别

创新的5次反射潜望架构，结合纳米级棱镜切割、三重AOA主动校准及定制传感器等核心技术，确保了远摄画质的通透与稳定。此次突破有望推动手机影像行业在远摄领域的技术升级。