在过去一年中，随着媒体对英特尔45纳米和高K-金属栅极的介绍和评论，让大家开始知道这两个新词汇，所以大家可能有这样的疑问：在处理器量产中采用的45纳米芯片生产工艺和同时提及的高K-金属栅极有什么关系

日前，IBM (NYSE:IBM)科学家宣布他们对碳管内的电荷分布进行了测量，并发现其直径小于2纳米，这比人类的一缕头发细50,000倍。这项新颖的技术借助电子和声子交互作用为碳纳米管电学性能提供了一个详细的解释，与今天常规的硅晶体管相比，这一材料为更小、更快并且能耗更低的计算机芯片提供了基础。

英特尔计划在11月12日发布45纳米处理器产品（Penryn），英特尔的OEM合作伙伴已经开始测试Penryn桌面版和服务器版芯片。为了满足多样计算的需求，英特尔会在今年年底推出15款全新的针对服务器和高端PC的45纳米处理器，到明年第一季度会推出另外20款处理器，包括一些针对笔记本电脑的产品。

这几年手机充电技术的发展速度非常夸张，从曾经的5V1A，已经发展到了65W快充，充电时间缩短到了35分钟左右。但65W并非极致，今年许多厂商也都展示出了更高功率的充电技术，比如小米的100W，vivo的120W等。近期，著名数码大V@数码闲聊站又爆料，骁龙875最大的卖点就是支持100W快充。

Digitimes报道，受Intel双核主流冲击（Intel单核只有15%），AMD将调整单核产品线，65nm Athlon 64（Lima）将全面停产，单核低端方面由5款全新的45W低功耗Sempron单核接手。

美国当地时间5月6日，IBM发表了配备该公司64位处理器“POWER4＋”的新型服务器“IBM eServer p690”、“IBM eServer p670”和“IBM eServer p655

掌握全球领先的平台型微纳米技术的高科技公司昇印光电嵌入式纳米印刷实现全铜增材电路印刷，并于近期成功完成超亿元人民币A轮融资。

8月29日消息，英国《自然》杂志最近刊登了计算科学的最新进展：美国麻省理工学院团队利用14000多个碳纳米晶体管打造出了16位微处理器，并成功生成了一条信息，或许在将来的先进微电子装置中能用碳纳米管代替硅晶体管。

其55纳米 eFlash ASIC 解决方案已成功导入至多项微控制器 (MCU) 相关应用。为了大幅增进 MCU 效能以及提供更低的功耗与漏电设计，智原的 MCU ASIC 技术路线跳过90纳米，从8吋

中国首款纳米防磨损智能手机——创客C-ONE，9月15日在深圳五洲宾馆正式发布。创客C-ONE是一款采用目前主流的高配置五寸四核高清智能手机，其显示屏采用独特的纳米技术进行科学处理后，具有高清、高透光性、9H超强硬度、耐刮花、防指纹、防爆裂等特点。