长江存储2026年第 一季度营收同比增长445%，全球NAND闪存市场份额达13%，位居全球第三。其增长得益于AI服务器需求激增、国产替代加速及X3/X4技术成熟。扩产计划有望使其超越SK海力士和美

SK海力士发布iHBM控温散热技术，可在不改变存储芯片封装设计前提下直接降温，热阻降低超30%。HBM作为AI加速器核心组件，功耗和发热问题日益突出，iHBM通过创新散热方案提升稳定性并延长使用寿命

SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。

大部分的存储技术都是采用SDRAM，只是规格不同，但是随着频率的进一步提升，距离颗粒的物理极限也越来越近。是时候该探讨一下如何替代现有内存了。目前海力士和东芝已经宣布组成工作组开发一种叫做MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory)的新的存储模式，以大幅提高现有内存的性能和效能。

SK海力士宣布向主要客户供应12层HBM4E样品，这是面向AI的下一代超高性能DRAM。新产品较上一代HBM4在性能和能效上取得跨越式升级，引脚速率最高达16Gbps，能效提高20%以上，显著提升

英伟达CEO黄仁勋确认，已批准三星、SK海力士和美光科技供应HBM4内存，用于其下一代AI平台Vera Rubin。该平台现已全面量产，将于今年秋季出货。这三家公司主导全球内存市场，正为争夺英伟达订单展开激烈竞争。

SK海力士(SK hynix)于近日宣布推出其首款支持PCIe 4.0接口的企业级固态硬盘（SSD）——PE8000系列，该公司表示现在已经可以提供样品。PCIe 4.0接口可实现16Gbit/s的传输速率，支持16通道，与上一代相比带宽提高了一倍。

在CES 2020大会上，SK海力士展示了他们最新的存储技术。在这之中，最吸引人的是就是他们基于“4D NAND”技术的消费级固态硬盘产品，以及最新一代的DDR5 RDIMM内存。

?新年伊始，中国股市动荡、世界经济仍然不确定性等等给企业带来了更大的挑战。业界预测，2016年半导体企业可能遭遇半导体存储器需求收缩、中国企业进入半导体市场等诸多不利环境。为此，SK海力士将通过扩大投资以全面应对可能将面临的风险。

继去年成功举办第一届“移动内存解决方案研讨会”，SK海力士(www.skhynix.com)在2015年6月10日在深圳隆重举办了以‘共创未来移动市场’为主题的“第二届移动内存解决方案研讨会”。