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三星S8或会采用SK海力士8GB内存
根据韩国媒体 OSEN 给出了三星Galaxy S8的确切发布日期，它指出三星将于 4月18日 在纽约推出这款年度机型，并将在推出不久后正式上市开卖。而临近发布，也有消息传出三星Galaxy S8将采用8GB内存芯片，这种芯片由SK海力士制造。
资讯 2017-01-10
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容量大功耗低 海力士首创2xnm工艺GDDR3
在中高端显卡上，GDDR5显存已经全面普及，但对于低端市场，GDDR3乃至是DDR3仍是最佳选择。韩国海力士(SK Hynix)今天宣布，已经成功开发出业内第一款2xnm工艺的GDDR3 DRAM显存颗粒，单颗容量4Gb(512MB)。
资讯 2012-09-21
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海力士发话:内存芯片供应吃紧局面持续
据路透社报道，全球第二大DRAM芯片大厂海力士今天表示，市场对内存芯片需求远超出先前预期，芯片供应仍然吃紧，而且这种局面还将持续到第二季度。
资讯 2010-03-31
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SK海力士副会长朴正浩与高通CEO在CES 2023举行会谈，探讨加强半导体业务合作
· 副会长朴正浩会见高通公司高层,广泛探讨合作机会
· SK海力士将继续寻求与全球科技企业跨地域、跨行业展开合作
资讯 2023-01-06
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Solidigm！SK海力士收购的英特尔NAND业务正式命名
2021年12月30日，Solidigm宣布正式成立，成为韩国半导体供应商SK海力士在美国的独立子公司！公司名称读作[saa-luh-dime]，反映Solidigm致力于创建固态存储新范式，提供顶级客户服务，以及革新存储行业的坚定决心。
资讯 2021-12-31
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智能机存储再升级 SK海力士推8GB内存
对于现在智能手机来说，存储的进化可以说是非常迅速的，现在旗舰产品的机身内存已经可以达到6GB的容量。近日SK海力士近日悄然完成了新一代8GB LPDDR4内存，单芯片封装，适合用于智能手机、平板机
资讯 2016-12-21
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就为抗衡三星 海力士也准备收购尔必达
据路透社报道，刚刚改名为SK Hynix的半导体巨头海力士也已经提出竞标申请，准备和美光争夺破产的日本DRAM大厂尔必达，目的是更好地和国内对手三星电子展开竞争。
资讯 2012-04-04
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代替DRAM 惠普/海力士开发电阻式内存
近期惠普与海力士达成一项协议，根据协议两公司将共同研究下一代的内存产品。
资讯 2010-09-06
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海力士宣布2Gb低压DDR2 40nm内存芯片
继尔必达后，海力士今天也宣布了2Gb低压DDR2 DRAM内存芯片，主要针对智能手机、平板机和智能本市场。该芯片工作采用40nm制程工艺，电压仅为1.2V
资讯 2010-01-14
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[IDF08]海力士/奇梦达展台现身IDF08
4月1日，IDF08 Shanghai进入第一天媒体日，各厂商展台工作布置工作也紧锣密鼓展开，存储方面奇梦达和海力士展台以初露端倪，相信他们会带来关于DDR3应用的相关展示。据悉在4月1日 17时，所有展台将布置完毕。
资讯 2008-04-01