SK海力士CEO郭鲁正在纳斯达克上市当天预警，称2027年将是内存行业供应最糟糕的一年，存储芯片短缺可能持续到2030年之后，与三星预测一致。DRAM需求由AI加速器HBM驱动，其复杂工艺加剧供应

SK海力士下一代V10 3D NAND闪存将采用375层堆叠设计，而非原计划的400层，以降低量产技术难度。该产品已完成生产验证，目标2026年通过现有产线升级实现大规模生产。技术方面，V10

SK 海力士(CEO：SW, PARK，www.skhynix.com )邀请了中国移动市场相关部门和企业， 于 2014年6月17日在中国深圳成功举办了“2014年 SK 海力士 手机移动内存解决方案研讨会”。

根据专业分析机构DRAMeXchange的统计，今年第三季度全球DRAM芯片市场销售额环比大涨40.7%，达到57.19亿美元。其中，三星和海力士两家合计市场占有率已经达到55.1%，相比第二季的

近期，韩国半导体行业的两大核心人物——SK海力士董事长崔泰源与三星电子副会长李在镕，在公开场合罕见地将目光投向同一家中国企业，言语间的重视与警惕，牵动着全球半导体产业的关注神经。这家让韩国巨头们格外

2025年8月8日，上海 – Sandisk闪迪公司（NASDAQ：SNDK）正式宣布与SK海力士签署具有里程碑意义的谅解备忘录（Memorandum of Understanding，MOU）

韩国存储设备巨头的Hynix(海力士)半导体近日称该公司位于无锡的DRAM晶圆工厂将改产NAND闪存。由于苹果iPad、MacBook Air以及Intel Ultrabook的需求持续增长

北京时间9月20日早间消息，Rambus律师周一在法庭上表示，微芯片制造商美光和海力士串谋打压Rambus高端芯片技术，以阻止Rambus技术成为业界标准。

看过《无间道》的朋友想必还对电影里的卧底行动都有所了解，近日现实版的“无间道”在IT界上演。据报道，韩国检方近日逮捕了两名美国半导体设备供应商应用材料Applied Materials高管，罪名则是这两名高管偷取三星DRAM、NAND芯片处理技术等机密并出售给了竞争对手海力士。

导体厂商Hynix海力士昨天宣布他们开发出了业界首块使用每储存单元3比特(three-bits-per-cell)技术容量为32Gb(4GB)的NAND闪存芯片。