IBM公司和三星电子有限公司周二发文介绍了一种新的晶体管架构，两家公司认为这种架构在同样的功率条件下提供的性能是现有技术的两倍。该架构名为VTFET，VTFET是英文纵向传输纳米片场效应晶体管的简称。IBM称该技术是“半导体设计的突破”。

2012年被称为Intel的Tick+年，也就是制程升级的一年，新的Ivy Bridge处理器最大的改变也就是22nm 3D晶体管的引用，借助于这项技术突破，得以使新一代处理器在缩小核心面积到原先70%的同时将晶体管数量由10亿左右升到了14亿，性能也有了不小的提升。

对于一个普通用户来说，采用22nm 3D晶体管技术的处理器确实为我们带来了更强的性能和更低的功耗，让移动终端设备可以更纤薄、电池使用时间更持久。从整个芯片设计制造行业来看，22nm 3D晶体管处理器的量产，让英特尔再次站在行业的最前端，引领集成电路设计制造新方向。

英飞凌的研究人员们已经测试了65nm multi-gate finFET结构晶体管，可译作“多栅极鳍式场效晶体管”，场效应管的源极（Source）和漏极（Drain）部分看起来好像鱼鳍一样……

在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管微缩。

北京时间2011年5月5日，英特尔在京召开了全新3-D结构晶体管的发布会，会上，英特尔半导体（大连）有限公司总经理柯必杰作为英特尔技术与制造事业部亚洲区发言人，对全新的3-D结构晶体管以及22nm制造工艺做出了详细的介绍。

Turbo极速快充方案，支持27W有线充电，更是全球首款支持20W无线闪充的手机。它在无线充电上使用了半压直充技术，并在无线充电架构方面做出了重大创新，如无线充电线圈采用5层纳米晶体结构，外加多股绕线

在刚刚出版的《科学》杂志上，IBM的研究人员展示了一种由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管（FET），其截止频率可达100吉赫兹（GHz），这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。这一成就是美国国防部高级研究计划局“碳电子射频应用项目”取得的重大进展，为研发下一代通信设备铺平了道路。

8月29日消息，英国《自然》杂志最近刊登了计算科学的最新进展：美国麻省理工学院团队利用14000多个碳纳米晶体管打造出了16位微处理器，并成功生成了一条信息，或许在将来的先进微电子装置中能用碳纳米管代替硅晶体管。

2011.09.13-15,2011秋季IDF在美国洛杉矶隆重召开，众多英特尔最新技术在此次论坛上得到展示，其中包括众人瞩目的Ivy Bridge芯片组、Ultra Book、22nm晶体管技术等等