在今年的游戏开发者大会（GDC 2016）上，AMD宣布了该公司的下一代“北极星”GPU路线图。Polaris 10将采用14nm FinFET工艺打造，且完整支持新兴的DirectX 12和

950在GPU配置上着实下足了功夫，搭载的全新MaliT880图形处理器，针对16纳米FinFET进行优化，相比麒麟上代GPU图形生成能力以及浮点运算次数更是提升100%之多

，B360芯片组是采用14nm FinFET制程工艺，而B365却是采用了22nm HKMG+制程工艺；其次，对比B360芯片组，B365取消了对原生USB 3.1 Gen2接口和intel CNVi无线网卡的支持。这样看起来似乎严重缩水，其实不然。

日前联发科宣布推出新一代移动芯片组——Helio P22，采用台积电12nm FinFET工艺打造，强化了AI、成像以及连接特性，令中端手机也可以拥有高端手机的部分特性，进一步加强联发科在中端以及入门级市场的竞争力。

。该芯片架构采用arm Cortex A73和A53大小核设计，相较于上一代产品Helio P23与Helio P30，CPU及GPU性能均提升70%。配合最新的12nm FinFET制程工艺，大幅改善提升了P60的功耗表现，延长手机电池的使用时间。

在刚刚开幕的MWC上海2017上，高通正式发布了骁龙400系列移动平台的全新产品——骁龙450。作为骁龙435的迭代产品，骁龙450的制程工艺升级为14nm FinFET，ISP、DSP还有LTE Modem部分都是先前骁龙600产品的特性下放，可以说有着全方位的提升。

着手更高阶的SoC设计。据内部人士爆料，澎湃S2的样片已经完成，将采用台积电的16nm FinFET工艺打造，预计年底商用。

在CES 2017正式开幕前，高通推出了今年全新的旗舰级移动处理器骁龙835，采用八核心的Kryo280架构，10nm FinFET工艺制程制造，整体性能更强，功耗更低。现在高通确认了这款新芯片可以运行完整版的Windows 10操作系统。

NVIDIA 的新款旗舰 GeForce GTX 1080 是同级别中更为先进的游戏显卡。该款游戏显卡由新的Pascal架构驱动。基于16nm FinFET工艺GP104核心，内建2560个CUDA

12月7日消息，上个月高通宣布和三星合作，并宣布下一代骁龙835处理器将使用三星的10nm FinFET工艺打造，另外还支持QC4.0快充，除此之外高通就没有透露这颗全新旗舰级SoC的其它信息了