准备进入FinFET工艺的还有代工业老大TSMC，他们已经开始量产20nm工艺，16nm FinFET工艺也已经在试产，2015年早些时候会量产，2015年晚些时候还有改进型的16nm FinFET+工艺，明年Q4还会试产10nm FinFET工艺，量产时间预计在2016年-2017年。

FinFET工艺涉嫌盗取韩国科学技术院(KAIST)的专利，后者计划对三星提起诉讼。KAIST坚称是他们开发了10nm FinFET工艺，并认为高通、台积电也侵犯了其FinFET技术专利，目前三星还并未就此事表态。

近来关于台积电16nm FinFET工艺进展不顺的风言风语很多，比如说设备安装要推迟到下半年，大规模量产可能得等明年了，这也迫使高通、苹果两大客户纷纷投靠三星14nm FinFET。

AMD 首批两款 FinFET 工艺的芯片已经流片，这会是 AMD 第一次在制程工艺领域和 intel 保持同步。

820都还没有正式发布，关于骁龙830的消息却已经泄露了出来。据称，骁龙830将会采用10nm FinFET工艺。

在半导体技术上处于全球领先水平的三星电子，今日宣布已开始使用第二代14纳米FinFET制程技术——14nm LPP（Low-Power Plus），量产更先进的处理器。

Conference，ISSCC）上展示了全球首见的 10 纳米 FinFET 半导体制程，有望抢在英特尔之前制造出第一款 10 纳米行动芯片组。

积公司先进的16纳米 FinFET (16FinFET) 工艺打造具备最快上市、最高性能优势的FPGA器件。双方分别投入所需的资源组成一支专属团队，针对 FinFET 工艺和赛灵思

北京时间今天凌晨，赶在CES 2017拉开帷幕之前，高通正式发布了旗下首款10nm FinFET工艺制程的骁龙835处理器，采用八核心的Kryo280架构，整体性能更强，同时由于采用10nm FinFET工艺制造，芯片功耗更低。目前已经投产，预计今年上半年我们就可以见到搭载骁龙835芯片的智能手机了。

此款最新的测试芯片是ARM与台积电长期致力于先进工艺技术的成果，基于2014年10月宣布的首次10纳米FinFET技术合作。ARM与台积电共同的IC设计客户也获益于早期获得ARM Artisan物理IP与ARM Cortex-A72处理器的16纳米FinFET+设计